較為常見的微流控芯片制備加工方法有：

① 絲網(wǎng)印刷  ② 噴墨打印  ③ 紫外光刻（Ultra-Violet，UV）技術(shù)  ④ 電子束直寫（Electron Beam Lithograph，EBL） ⑤ 質(zhì)子束直寫（Proton Beam Writing，PBW）⑥ 飛秒激光雙光子直寫技術(shù)

①絲網(wǎng)印刷：作為傳統(tǒng)的印刷技術(shù)成本低廉、工藝簡單, 主要應(yīng)用于電路板、醫(yī)療器械、服裝等領(lǐng)域.隨著微流控技術(shù)的發(fā)展，為控制其成本以適應(yīng)工業(yè)化生產(chǎn), 絲網(wǎng)印刷逐漸被應(yīng)用于制備微流控芯片，絲網(wǎng)印刷技術(shù)的設(shè)備要求不高，因此大大降低了微流控芯片的制作成本，而且加工步驟少，可重復(fù)性高，有利于微流控芯片走向工業(yè)批量化生產(chǎn)。

②噴墨打?。阂话銘?yīng)用于不同材料的精密組件噴印成型， 其優(yōu)勢在于高速度、自動化、低成本、環(huán)境友好度高等， 利用噴墨技術(shù)可直接將墨滴噴射到電路板上，從而精確繪制電路圖。

③紫外光刻技術(shù)：紫外光源因為其具有較短的波長、高的光子能量、加工分辨率高等優(yōu)勢，在高精度加工領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。在紫外光刻過程中，材料吸收一個紫外光子后，從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)從而引發(fā)后續(xù)的光聚合或光解反應(yīng)。紫外光刻主要有以下特點：

熱影響區(qū)域?。鹤贤夤饪碳夹g(shù)的加工原理是一種光化學(xué)反應(yīng)的原理，通過高能量的紫外光子直接照射破壞加工材料中的化學(xué)鍵，因而其熱影響區(qū)域非常小甚至是無熱影響區(qū)域；

加工材料廣泛：紫外光源光子能量高，因此可以加工一些可見光與紅外激光無法加工的材料；

分辨率高：紫外光源的波長一般可以達到 395 nm，因此衍射極限尺寸比可見光波段小，因此分辨率高。它的加工精度可以達到 200 nm 以下，能夠獲得精密的微納結(jié)構(gòu)。

紫外光刻技術(shù)方式可以分為紫外掩模加工和紫外直寫加工。紫外掩模加工需要光刻膠掩模板，紫外激光光源為面光源，而紫外直寫加工則不需要光刻膠掩模板。

 ④電子束與質(zhì)子束直寫技術(shù)： 電子束直寫是通過高能電子束在涂覆有感光材料（光刻膠）的基板上直接曝光獲得結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)，早在 1965 年就有使用電子束直寫制作了 100 nm 的納米結(jié)構(gòu)的報道。電子束的波長非常短，在 100 KV 的加速電壓系統(tǒng)下，電子波長為 0.12 nm。根據(jù)阿貝衍射極限理論，電子束直寫的精度可以達到納米數(shù)量級。

電子束直寫納米結(jié)構(gòu)與其他傳統(tǒng)納米結(jié)構(gòu)加工技術(shù)相比具有許多優(yōu)勢，例如：高分辨率、無掩膜、長焦深，并且還可以通過計算機控制直接寫入任意納米結(jié)構(gòu)。電子束直寫的主要缺點是由于襯底和光刻膠膠層中的散射會引起曝光區(qū)域的吸收劑量不均衡，從而引起的相互鄰近效應(yīng)。 質(zhì)子束直寫主要是通過將高能量的質(zhì)子束聚焦照射到光刻膠內(nèi)直接加工納米結(jié)構(gòu)的納米加工技術(shù)。質(zhì)子束的穿透能力強于電子束，并且質(zhì)子束的空間發(fā)散角也極小，所以質(zhì)子束直寫可以制備得到高的真寬比的納米結(jié)構(gòu)。

⑥飛秒激光雙光子直寫技術(shù)：是一種基于激光光源的加工方式，與其他傳統(tǒng)的連續(xù)激光加工技術(shù)相比，它的脈沖寬度更窄，峰值功率也更高，往往通過非線性效應(yīng)與材料相作用，加工精度可以達到小于百納米，且具備良好的 3D 加工能力，因此在微納制造領(lǐng)域擁有巨大優(yōu)勢。飛秒激光通過物鏡會聚的方式到達樣品材料內(nèi)部，由于材料與飛秒激光的作用方式為雙光子或多光子吸收，因此只有激光焦點的中心區(qū)域會發(fā)生光與物質(zhì)的相互作用，從而突破光學(xué)衍射極限，實現(xiàn)高精度（分辨率<100 nm）的加工。

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