紫外光源：曝光系統(tǒng)最核心
常見光源分為:
紫外光（UV），g線：436nm;i線：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 準(zhǔn)分子激光：248 nm, ArF 準(zhǔn)分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統(tǒng)的要求
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因?yàn)檠苌洮F(xiàn)象會更嚴(yán)重。]
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時(shí)間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光（248 nm）、ArF 準(zhǔn)分子激光（193 nm）和F2準(zhǔn)分子激光（157 nm）等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應(yīng)、實(shí)現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實(shí)現(xiàn)強(qiáng)光照明和光強(qiáng)調(diào)節(jié)等。
標(biāo)簽: 紫外光源 曝光系統(tǒng) 光刻機(jī)
- 上一條恒溫恒濕箱之濕度傳感器
- 下一條影響PCR擴(kuò)增的因素