一、熱鍵合

    對玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的蓋片洗凈烘干對齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板，在上面的石墨板上再壓一塊重0.5 Kg的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。玻璃芯片鍵合時，高溫爐升溫速度為10℃/分，在620℃時保溫3.5小時，再以10℃/分的速率降溫。石英芯片鍵合溫度高達1000℃以上。此方法對操作技術(shù)要求較高，芯片如一次封接后有干涉條紋可多次熱鍵合。

    但熱鍵合不能用于含溫度敏感試劑、含電極和波導(dǎo)管芯片，也不能用于不同熱膨脹系數(shù)材料的封接。

    一般地說，封接比在玻璃和硅片上刻蝕微結(jié)構(gòu)更困難，熱鍵合成品率也不高。

二、陽極鍵合

在玻璃、石英與硅片的封接中已廣泛采用陽極鍵合的方法。即在鍵合過程中 ,施加電場 ,使鍵合溫度低于軟化點溫度。

為防止熱鍵合可能發(fā)生的通道變形 ,甚至塌陷的現(xiàn)象 ,玻璃與玻璃之間的陽極鍵合已引起廣泛的興趣。在玻璃表面沉積上一層薄膜材料如多晶硅、氮化硅等作為中間層，在約700伏的電場下，升溫到400℃時，可使兩塊玻璃片鍵合。文獻報道，在500～760伏電場下，升溫到500℃時，可使兩塊玻璃片鍵合而不需在玻璃表面沉積中間層。在兩塊玻璃板尚未鍵合時，板間空氣間隙承擔了大部分電壓降，玻璃板可視為平行板電容器，板間吸引力與電場強度的平方成正比，因此，鍵合從兩塊玻璃中那些最接近的點開始，下板中可移動的正電荷(主要是Na+)與上板中的負電荷中和，生成一層氧化物(正是這層過渡層，使兩塊玻璃板封接)，該點完成鍵合后，周圍的空氣間隙相應(yīng)變薄，電場力增大，從而鍵合擴散開來，直至整塊密合。玻璃表面進行拋光處理，減小玻璃之間間隙寬度，可降低鍵合溫度。

三、其它封接方法

    有報道用HF和硅酸鈉粘結(jié)玻璃的低溫鍵合技術(shù)，用1 %HF 滴入兩玻璃片之間的縫隙中，在室溫下加40gf/ cm2壓力，2h即可鍵合成功，溫度升高60℃，1h即可完成；在兩玻璃片之間，通過硅酸鈉稀溶液中間層，在室溫下放置過夜，或 90℃下放置1h也能進行鍵合。Sayah等又報道了兩種低溫鍵合的方法：a.在兩片仔細清潔的玻璃片之間使用1μm厚的環(huán)氧膠，在1MPa的壓力和90℃條件下硬化；b.在100～200℃加高壓15h使之直接鍵合，壓力最高可用50MPa。