隨著MEMS技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝設(shè)備的更新和工藝環(huán)境的改善，已經(jīng)使現(xiàn)有的光刻工藝體系有了質(zhì)的飛躍。但由于其工藝過(guò)程和內(nèi)容的特殊性，同時(shí)器件的掩模版圖形越來(lái)越復(fù)雜，圖形面積越做越大，線條要求越來(lái)越細(xì)，微流控器件性能和精度要求越來(lái)越高，就目前的工藝條件來(lái)說(shuō)，整個(gè)光刻工藝流程并不能擺脫或完全擺脫人工的參與，同時(shí)還有工藝設(shè)備的穩(wěn)定性、工藝原材料的影響等因素依然存在，因此，避免和消除工藝過(guò)程中造成的各種缺陷，進(jìn)一步提高器件成品率和可靠性等性能參數(shù)，仍然是光刻工藝質(zhì)量控制的工作重點(diǎn)。

 缺陷的種類(lèi)

在微流控芯片注塑、刻蝕、清洗、修飾、鍵合過(guò)程中都有可能產(chǎn)生各種缺陷，尤其是重復(fù)次數(shù)最多的光刻工藝，它幾乎貫穿至封裝前的整個(gè)器件工藝制作過(guò)程。經(jīng)有關(guān)的工藝分析資料表明，光刻引入的工藝缺陷幾乎占整個(gè)工藝流程總?cè)毕莸?0%。除了掩模版質(zhì)量引起的缺陷外，大部分是在進(jìn)行光刻工藝的操作過(guò)程中由于人流(人員的行為)、物流(操作介質(zhì))、氣流(凈化環(huán)境)等因素引起隨機(jī)分布的點(diǎn)缺陷。

每一次光刻需要經(jīng)過(guò)勻膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、刻蝕、去膠等多次步驟，循環(huán)周期長(zhǎng)。工藝過(guò)程中由于人流、物流、環(huán)境氣流以及原材料的質(zhì)量、工藝設(shè)備的不穩(wěn)定或者是衛(wèi)生、清洗步驟的不徹底等等因素，都非常容易引入各種缺陷，其每一步驟都對(duì)質(zhì)量有著直接的影響。

經(jīng)常出現(xiàn)的缺陷種類(lèi)，概括起來(lái)主要有以下幾類(lèi)：

(1)掩模膠中存在的顆粒和空氣中的灰塵引入的點(diǎn)缺陷；

(2)光刻工藝過(guò)程中的機(jī)械損 (劃)傷；

(3)掩模膠中的針孔缺陷；

(4)掩模版質(zhì)量引起的缺陷。