使用方法

基底準備

在使用SU-8光刻膠之前，基板應保持清潔和干燥.

清潔基板的方法包括使用硫酸和過氧化氫的混合液（piranha etch）進行濕法清洗，隨后用去離子水沖洗.

可選地，也可使用反應離子蝕刻（RIE）或其他含氧的桶式裝置進行清洗.

對于某些應用（例如電鍍），推薦使用MCC Primer 80/20 (HMDS) 對基體進行預處理.

涂膠

根據基板尺寸，分配適量的光刻膠（例如，對于每英寸的基板直徑分配1ml的抗蝕劑）.

使用旋涂機以一定的速度和加速度進行涂布，例如：先以500 rpm旋轉5-10秒，然后以2000 rpm旋轉30秒.

軟烘烤

推薦使用具有良好熱控制和均勻性的水平熱板進行軟烘烤.

避免使用對流烤箱，以防抗蝕劑表層形成.

曝光

使用長通濾波器來消除350nm以下的紫外線輻射.

進行接觸矩陣實驗，以確定最佳曝光劑量.

顯影

SU-82000光刻膠與MicroChem公司的SU-8顯影劑配合使用.

顯影過程中，推薦使用強烈攪拌3.

顯影后，用新鮮溶液沖洗約10秒，然后用異丙醇(IPA)再噴/洗10秒.

硬烘烤（可選）

對于將成像電阻作為設備一部分保留的應用，可以添加硬烘烤步驟.

烘烤溫度建議比設備最大運行溫度高10°C，通常在150°C到250°C之間.

注意事項

溫度控制

確保光刻膠的涂布溫度與室溫相同，通常為23°C.

濕度控制

控制涂膠時的濕度，防止光刻膠脫落或降低良品率.

涂膠后產品放置時間

涂完光刻膠的產品保留時間不應超過8小時.

前烘溫度和時間

控制前烘的溫度和時間，以促使膠膜內溶劑充分揮發(fā).

顯影條件

顯影時必須控制好顯影液的溫度、濃度及顯影的時間.

以上步驟和注意事項可以幫助您更好地使用SU-8光刻膠，以獲得高質量的光刻效果。

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