光刻膠去膠工藝
通常,光刻膠只是用作構(gòu)建圖形步驟中的臨時(shí)掩膜。因此,光刻工藝的最后一步通常是需要去除光刻膠,我們稱之為去膠或者除膠。并且對(duì)去膠過(guò)程的要求是:迅速去膠且沒(méi)有殘留,對(duì)襯底以及沉積在上面的材料無(wú)損傷,因此這并不是很容易實(shí)現(xiàn)的步驟。這里我們稱用于去除光刻膠的溶劑或者溶液為去膠劑或者去膠液、除膠劑,lift-off工藝中我們也稱之為剝離液。
光刻膠薄膜的溶解度
非交聯(lián)型的光刻通??梢允褂闷胀ü饪棠z去膠劑進(jìn)行處理并且無(wú)殘留。如果去膠效果不良,應(yīng)考慮以下可能的原因:
正膠在140℃左右開(kāi)始熱交聯(lián)(例如在堅(jiān)膜、干法刻蝕或涂膠階段),這大大降低了它的溶解度。如果可以的話,應(yīng)降低處理溫度。
光學(xué)誘導(dǎo)交聯(lián)是通過(guò)深紫外光輻射(波長(zhǎng) < 250 nm)并結(jié)合高溫使得光刻膠不能溶解在去膠劑中,這種情況在蒸發(fā)鍍層(如金屬化、濺射或干法刻蝕)中很常見(jiàn)。由于超短波輻射的穿透深度較低,所以只有光刻膠的表面受到交聯(lián)的影響。
負(fù)膠在較高的溫度下處理其交聯(lián)可以通過(guò)后續(xù)的工藝步驟進(jìn)一步加強(qiáng),這步會(huì)導(dǎo)致光刻膠的去除變得更加困難。另外,干法刻蝕過(guò)程中,重新沉積在光刻膠上的材料將會(huì)成為去膠過(guò)程中的障礙層,從而導(dǎo)致光刻膠的去除變得更加困難。
溶劑型去膠劑
丙酮
丙酮一般不推薦作為光刻膠的去膠劑,因?yàn)樗哂泻芨叩恼魵鈮毫?。如果使用了丙酮,?yīng)在丙酮蒸發(fā)和形成條紋前使用異丙醇清洗丙酮處理過(guò)的樣品。不建議對(duì)丙酮進(jìn)行加熱以增加其溶解度,因?yàn)槠湔羝麎毫Ω撸瑯O易發(fā)生火災(zāi)危險(xiǎn)。
NMP及NEP
NMP(1-甲基-2-吡咯烷酮),NEP(氮乙基吡咯烷酮)是去除光刻膠層的一種普遍適用的溶劑。NMP的蒸氣壓非常低,可以加熱到80℃,以便能夠去除更多交聯(lián)的光刻膠薄膜。由于NMP已被列為對(duì)生殖有害物質(zhì),應(yīng)考慮替代品,如DMSO。
DMSO
DMSO(二甲亞砜)加熱至60- 80℃時(shí),作為光刻膠去膠劑的性能可與NMP的性能相媲美,是NMP的一種“安全溶劑”替代品。 DMSO容易從空氣中吸收水汽, 另外DMSO人體皮膚有滲透性 ,操作時(shí)注意防護(hù)。
原則上,其他溶劑也適合用作去膠劑:IPA,PGMEA(PMA),甲乙酮(MEK)或稀釋劑,可用于溶解穩(wěn)定性不是很強(qiáng)的光刻膠的殘留。但是,在大多數(shù)情況下,用這些溶劑作為去膠液則需要更長(zhǎng)的時(shí)間。溶劑去除劑同樣適用于酚醛樹(shù)脂型光刻膠以及所有聚合物光刻膠(例如PMMA)。
堿性去膠劑
如果襯底材料的化學(xué)穩(wěn)定性允許,且不使用特殊的去除劑,那么可以使用最簡(jiǎn)單高效的堿性去膠劑,最常見(jiàn)的是氫氧化鈉(NaOH)和氫氧化鉀(KOH)溶液。4%的KOH溶液將在幾秒鐘內(nèi)去除所有基于酚醛樹(shù)脂基的光刻膠以及電子束光刻膠,專門為耐堿而設(shè)計(jì)光科技啊除外。當(dāng)我們將NaOH或KOH的濃度增加到40%時(shí),可用于去膠比較困難的穩(wěn)定性膠,特別是硬烘后的光刻膠結(jié)構(gòu)。堿性溶液通常不能完全去除光刻膠殘留物,但是在這種情況下會(huì)在光刻膠膜產(chǎn)生下蠕變。然后或多或少地將殘留物帶離襯底上,然后將其完全清除。但是,應(yīng)該考慮到,高濃度的堿性溶液也可能腐蝕硅晶圓,從而破壞表面。綜上所述 可以使用基于緩沖堿性鹽的濃縮顯影劑(堿當(dāng)量濃度1.1N)來(lái)替代堿性溶液實(shí)現(xiàn)去膠。這種顯影液在未稀釋狀態(tài)下可以迅速去除大多數(shù)光刻膠膜。
四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液也用作去除劑,最大濃度為25%。在此濃度下,TMAH可與高濃度的NaOH和KOH溶液媲美。TMAH也會(huì)侵蝕硅,在使用過(guò)程中同樣需要小心。由于TMAH的消耗量較低,稀釋型的TMHA溶液更容易操作,而且對(duì)環(huán)境更友好。堿性水去膠劑不適用于所有聚合物(PMMA,聚苯乙烯,碳?xì)浠衔铮?。但是,我們可以利用此特點(diǎn)用于兩層膠系統(tǒng)(PMMA /光刻膠;碳?xì)?光刻膠)應(yīng)用,以選擇性去除上層光刻膠層。
通用去膠方案
通用去除劑
在去膠發(fā)生困難的情況下(例如在密集的等離子蝕刻或?yàn)R射之后),超聲或兆聲清洗會(huì)對(duì)去除光刻膠帶來(lái)很大的幫助。但是,在此過(guò)程中必須保護(hù)襯底上的敏感結(jié)構(gòu),否則將其破壞如下圖1所示,所以我們建議這種帶有高深寬比的結(jié)構(gòu)的樣品最好使用兆聲輔助而不是超聲輔助處理。由于溶解的光刻膠的含量增加,去膠劑隨著長(zhǎng)時(shí)間的發(fā)展其去膠效果在逐漸變?nèi)酢<词谷晕催_(dá)到理論上的飽和極限(遠(yuǎn)高于50%的固含量),使用過(guò)溶液會(huì)隨著顆粒的富集并變得不透明,因此不再適合進(jìn)行重復(fù)清洗。常見(jiàn)的做法是級(jí)聯(lián)清洗。在此過(guò)程中,去除劑用于三個(gè)不同的清洗步驟。將樣品放在第一個(gè)溶液池中,此步驟中幾乎完全去除光刻膠殘留物。然后將樣品轉(zhuǎn)移到第二個(gè)溶液池中,然后轉(zhuǎn)移到第三個(gè)槽中,在最后一個(gè)步驟后用去離子水沖洗干凈。一旦達(dá)到預(yù)定的溶解能力,就將第一個(gè)浴液丟棄,將第二個(gè)和第三個(gè)浴液向上移動(dòng)一個(gè)位置。
圖1 LIGA工藝中使用超聲40k Hz(左圖)以及兆聲1M Hz處理后的結(jié)構(gòu)損壞情況
除此之外的功能還可以通過(guò)強(qiáng)氧化酸來(lái)實(shí)現(xiàn),例如王水,食人魚,硫酸或硝酸。這些酸用于最終清潔。但是除了環(huán)境保護(hù)方面(廢酸的處理),這些混合物通常不僅侵蝕光刻膠,而且也會(huì)腐蝕襯底表面的其他材料。
免責(zé)聲明:文章來(lái)源網(wǎng)絡(luò) 以傳播知識(shí)、有益學(xué)習(xí)和研究為宗旨。 轉(zhuǎn)載僅供參考學(xué)習(xí)及傳遞有用信息,版權(quán)歸原作者所有,如侵犯權(quán)益,請(qǐng)聯(lián)系刪除。
標(biāo)簽:   光刻膠
- 上一條沒(méi)有了
- 下一條微流控芯片一般光刻工藝過(guò)程