（1）靈敏度

光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的最小能量值。光刻膠的敏感性對(duì)于深紫外光、極深紫外光等尤為重要。單位面積上入射的使光刻膠全部發(fā)生反應(yīng)的最小光能量或最小電荷量（對(duì)電子束膠），稱為光刻膠的靈敏度，記為 S ，也就是D100 。S 越小，則靈敏度越高。靈敏度太低會(huì)影響生產(chǎn)效率，所以通常希望光刻膠有較高的靈敏度。但靈敏度太高會(huì)影響分辨率。

通常負(fù)膠的靈敏度高于正膠

(2) 分辨率

    區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。光刻工藝中影響分辨率的因素有：光源、曝光方式 和 光刻膠本身（包括靈敏度、對(duì)比度、顆粒的大小、顯影時(shí)的溶脹、電子散射等）。通常正膠的分辨率要高于負(fù)膠。

(3)對(duì)比度

指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度。對(duì)比度越好，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，分辨率越好。

 對(duì)比度的定義為

對(duì)比度是圖中對(duì)數(shù)坐標(biāo)下對(duì)比度曲線的斜率，表示光刻膠區(qū)分掩模上亮區(qū)和暗區(qū)的能力的大小，即對(duì)劑量變化的敏感程度。靈敏度曲線越陡，D0 與 D100的間距就越小，則γ就越大，這樣有助于得到清晰的圖形輪廓和高的分辨率。一般光刻膠的對(duì)比度在 0.9 ~ 2.0 之間。對(duì)于亞微米圖形，要求對(duì)比度大于1。

通常正膠的對(duì)比度要高于負(fù)膠。

(4)粘滯性/黏度

衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。

(5)粘附

表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝。

(6)抗蝕性

光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

光刻膠溶解速率k

光刻膠涂層在顯影液中的溶解速率，是光刻膠的一個(gè)重要參數(shù)，我們膜厚儀可以很好的去測(cè)試光刻膠的溶解速速。將涂有光刻膠的樣品，放置于顯影液中，用膜厚儀連續(xù)測(cè)試厚度，可以得到光刻膠隨時(shí)間的厚度逐漸變小的曲線圖。

光刻工藝流程

其中膜厚儀用在旋轉(zhuǎn)涂膠這一環(huán)節(jié)用來(lái)測(cè)試勻膠后的膜厚

涂膠工藝的目的就是在晶圓表面建立薄的、均勻的、并且沒(méi)有缺陷的光刻膠膜。

旋轉(zhuǎn)涂膠四個(gè)基本步驟：

涂膠的質(zhì)量要求是：

（1）膜厚符合設(shè)計(jì)的要求，同時(shí)膜厚要均勻，膠面上看不到干涉花紋

（2）膠層內(nèi)無(wú)點(diǎn)缺陷（如針孔等)

（3）涂層表面無(wú)塵埃和碎屑等顆粒。

國(guó)內(nèi)光刻膠行業(yè)簡(jiǎn)況

    從國(guó)內(nèi)的相關(guān)產(chǎn)業(yè)對(duì)光刻膠的需求量看，目前主要還是以紫外光刻膠的用量為主，其中中小規(guī)模和大規(guī)模集成電路企業(yè)、分立器件生產(chǎn)企業(yè)對(duì)于紫外負(fù)性光刻膠的需求總量分別達(dá)到100噸/年~150噸/年；用于集成電路、液晶顯示的紫外正性光刻膠及用于LED顯示的紫外正負(fù)性光刻膠需求總量在700噸/年~800噸/年之間。

   但是超大規(guī)模集成電路深紫外248nm與193nm光刻膠隨著Intel大連等數(shù)條大尺寸線的建立，全球存儲(chǔ)器大廠蘇州爾必達(dá)及無(wú)錫海力士、全球代工頂級(jí)廠臺(tái)積電及中芯國(guó)際也相繼逐步建立大尺寸線，化學(xué)放大光刻膠需求量是與日俱增。 

免責(zé)聲明：文章來(lái)源網(wǎng)絡(luò)  以傳播知識(shí)、有益學(xué)習(xí)和研究為宗旨。 轉(zhuǎn)載僅供參考學(xué)習(xí)及傳遞有用信息，版權(quán)歸原作者所有，如侵犯權(quán)益，請(qǐng)聯(lián)系刪除。