不管是氧化、淀積還是擴(kuò)散、離子注入，這些單項(xiàng)工藝本身對(duì)硅晶圓片各個(gè)不同的位置沒(méi)有任何選擇性，它們都是對(duì)整個(gè)硅晶圓片進(jìn)行處理，不涉及任何圖形。

集成電路是由成千上萬(wàn)個(gè)甚至上億個(gè)晶體管等元器件集成的，而這些元器件也許類(lèi)型、結(jié)構(gòu)、尺寸都不同。IC制造的精髓是能夠?qū)C設(shè)計(jì)者的要求轉(zhuǎn)移到硅晶圓片上，因此在集成電路制造流程中，有一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題必須要解決，那就是如何在一片硅晶圓片上定義、區(qū)分和制造出不同類(lèi)型、不同結(jié)構(gòu)以及不同尺寸的元器件？又如何把這些數(shù)以億計(jì)的元器件集成在一起獲得預(yù)期的電路功能？

答案只有一個(gè)，那就是集成電路制造需要圖形轉(zhuǎn)移工藝，它主要包括兩部分，即光刻工藝與刻蝕工藝。

一、照相技術(shù)的啟發(fā)

光刻工藝是一種圖像復(fù)印技術(shù)，是集成電路制造工藝中一項(xiàng)關(guān)鍵的工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō)，光刻受到照相技術(shù)的啟發(fā)，利用光刻膠感光后特性發(fā)生改變的原理，將光刻掩膜版的圖形精確地復(fù)印到涂在硅晶圓片上的光刻膠上，然后利用光刻膠作為掩膜保護(hù)，在晶圓片表面的掩膜層上進(jìn)行選擇性加工（刻蝕或注入），從而在晶圓片上獲得相應(yīng)的電路圖形結(jié)構(gòu)。

    光刻工藝是加工集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。在主流制造工藝的單項(xiàng)工藝中，該工藝最為復(fù)雜、成本最為昂貴。它對(duì)各層薄膜的圖形及摻雜區(qū)域的確定起著決定性作用。通常用光刻次數(shù)和所需光刻掩膜版的個(gè)數(shù)來(lái)表示某集成電路制造工藝的難易程度。

    光刻工藝原理與我們通常的照相技術(shù)相類(lèi)似，基本過(guò)程為：

    1、在硅晶圓片上涂上一層光刻膠（又稱(chēng)光致抗蝕劑，一種光敏材料），這層光刻膠相當(dāng)于印相紙。用預(yù)先制作好的有一定圖形的光刻掩膜版（相當(dāng)于印相時(shí)的底片）蓋上。

    2、 對(duì)涂有光刻膠的晶圓片進(jìn)行曝光，此過(guò)程相當(dāng)于印相時(shí)的感光。光刻膠感光后其特性發(fā)生改變，正膠的感光部分變得容易溶解，而負(fù)膠則相反。

    3、對(duì)晶圓片進(jìn)行顯影。正膠經(jīng)過(guò)顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負(fù)膠則相反，受到光照的部分會(huì)變得不易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后，留下光照部分形成圖形。之后對(duì)晶圓片進(jìn)行刻蝕，便可在晶圓片表面的掩膜層上割制出所需的圖形。

    4、用去膠法把涂在晶圓片上的感光膠去掉。

    光刻工藝是制作半導(dǎo)體器件和集成電路制造的關(guān)鍵工藝。將光刻工藝和其它集成電路工藝，如摻雜工藝、薄膜制備工藝等相結(jié)合，便可以完成半導(dǎo)體器件和集成電路的制作。